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MicReD | Halbleitertests von Siemens

Beschleunigung und Optimierung des Entwurfsprozesses von Halbleiterkomponenten

Leistungselektronikkomponenten wie MOSFETs, Dioden, Transistoren und IGBTs werden dort eingesetzt, wo elektrische Energie erzeugt, umgewandelt und gesteuert wird. Da der Energiebedarf sowohl bei Consumer- als auch bei Industrie-Anwendungen steigt, besteht die Herausforderung für Hersteller von Leistungsmodulen darin, die maximale Leistung und Strombelastbarkeit zu erhöhen und gleichzeitig eine hohe Qualität und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Die Halbleitertestprodukte von Simcenter beschleunigen und optimieren den Designprozess solcher Komponenten durch den Einsatz spezieller und innovativer Messtechnik für die thermische Transientenanalyse, die LED-Analyse, die TIM-Prüfung, das Power Cycling und die Prüfung von Paketen im Labor oder in der Fertigung.

Warum sollten Sie Simcenter-Produkte für Halbleitertests wählen?

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Schnell, einfach und wiederholbar

Alle Siemens-Lösungen für die Halbleiterprüfung sind schnell zu implementieren und in Betrieb zu nehmen, sehr einfach zu bedienen und in der Lage, ein wiederholbares Messsystem für zuverlässige Ergebnisse zu liefern.

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Einhaltung der JEDEC-Normen

Mit den Siemens-Produkten für die Halbleiterprüfung können Komponentenhersteller die von JEDEC festgelegten Standards einhalten, um die Qualität und Zuverlässigkeit der Produkte zu verbessern und das Vertrauen der Endanwender zu stärken.

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Nicht-destruktive Prüfung

Sie können so viele Tests wie nötig an ein und demselben Bauteil durchführen, denn die nicht-destruktive Prüfung der thermischen Charakterisierung liefert Ihnen die Strukturfunktion des Bauteils, die für die Charakterisierung des Gehäuses optimal ist.

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Integration mit der thermischen Simulation in der Elektronik

Mit den Simcenter-Produkten für die Halbleiterprüfung können hochpräzise thermische Modelle für die Verwendung mit Simcenter Flotherm XT und FLOEFD erstellt werden, um die Genauigkeit der thermischen Simulationen zu verbessern.

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T3STER

Simcenter T3STER ist ein fortschrittlicher, nicht-destruktiver thermischer Transienten-Tester für die thermische Charakterisierung von gehäusten Halbleiterbauelementen (Dioden, BJTs, Leistungs-MOSFETs, IGBTs, Leistungs-LEDs) und Multi-Die-Bauelementen. Er misst das echte thermische Einschwingverhalten effizienter als stationäre Methoden. Die Messungen liegen bei ±0,01° C mit einer Zeitauflösung von bis zu 1 Mikrosekunde. Strukturfunktionen verarbeiten die Antwort zu einem Diagramm, das den Wärmewiderstand und die Kapazität der Gehäusemerkmale entlang des Wärmestrompfades zeigt. Simcenter T3STER ist ein ideales Tool zur Erkennung von Fehlern sowohl vor als auch nach der Stressbelastung. Die Messungen können für die Kalibrierung des thermischen Modells exportiert werden, was die Genauigkeit des thermischen Entwurfs unterstützt.

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POWERTESTER

Simcenter POWERTESTER bietet die branchenweit einzige Möglichkeit, aktive Leistungszyklen mit transienter thermischer Charakterisierung und thermischer Strukturuntersuchung zu kombinieren. Die nicht-destruktive Struktur-Funktions-Bewertung wird durchgeführt, während das Gerät montiert bleibt, und liefert eine vollautomatisierte und vollständige elektrische und strukturelle Bewertung des Geräts während des gesamten Prüfprogramms.

Die Module werden über Tausende, möglicherweise Millionen von Zyklen hinweg betrieben, bieten eine Fehlerdiagnose in Echtzeit, verkürzen die Prüf- und Diagnosezeit und machen eine post-mortem- oder nicht-destruktive Fehleranalyse überflüssig. Eine breite Palette von Stromversorgungsstrategien simuliert realistische Betriebsbedingungen im Feld. Die Konfigurationen liefern bis zu 3600A und messen bis zu 16 Geräte gleichzeitig.

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TERALED

Die temperaturgesteuerten Simcenter TERALED-Tests bilden eine kombinierte elektrische, thermische und radiometrische/photometrische Prüfstation für LEDs und LED-Module, mit der kompakte Mehrbereichsmodelle erstellt werden, die in der thermischen Design-Software Simcenter verwendet werden können.

Diese LED-Testlösungen entsprechen dem JEDEC-Standard JESD51-52 und folgen den technischen Berichten 127:2007 und 225:2017 der CIE. Der reale Wärmewiderstand und die Lichtausbeute werden als Funktion der realen LED-Übergangstemperatur über einen breiten Bereich des Durchlassstroms gemessen. Der Prozess ist vollständig automatisiert. Spektralradiometer von Drittanbietern helfen bei der Erfassung von Emissionsspektren, die einen weiteren Beitrag zur präzisen Modellierung der Lichtausbeuteeigenschaften von LED-Gehäusen im Beleuchtungsdesign leisten.

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DYNTIM

Simcenter DYNTIM bietet eine smarte Implementierung der Richtlinie ASTM D5470, die auf instationären und nicht auf stationären Messungen basiert, mit einer hochpräzisen Kontrolle der Dicke der Verbindungslinie in 1 µm-Schritten, um die Messgenauigkeit zu maximieren. Durch die automatische Steuerung der Probendicke oder des Drucks ist das Gerät für weiche Proben und speziell präparierte metallische Proben besonders geeignet und ergänzt die vorhandenen Wärmeleitfähigkeitsprüfsysteme. Es ist als eigenständiges System oder als Halterung für Simcenter T3STER erhältlich, automatisiert den Messprozess vollständig, spart Zeit und Aufwand und bietet gleichzeitig eine Wiederholgenauigkeit von ±5% unter anwendungsnahen Messbedingungen. Das einfache und robuste System ist leicht zu bedienen.

White Paper

In diesem Dokument werden anhand von zwei Beispielen erörtert, wie Strukturfunktionen verwendet werden können, um zu analysieren, was thermisch im Inneren eines Halbleitergehäuses oder eines anderen komplexen elektronischen Systems geschieht.

Wie Strukturfunktionen die Charakterisierung von Paketen verbessern

Strukturfunktionen sind für die Untersuchung der Integrität von Gehäusen bei Halbleiterprüfungen unerlässlich. Thermische Transiententests, die mit Simcenter T3STER und Strukturfunktionen durchgeführt werden, haben sich zu einem weithin akzeptierten Analyse-Tool entwickelt. In diesem Video erfahren Sie, was Strukturfunktionen sind, welche Prinzipien ihnen zugrunde liegen und wie sie die Charakterisierung von Gehäusen und die Zuverlässigkeitsanalyse unterstützen können.

Möchten Sie mehr Informationen erhalten?

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